半導体レーザーデキャップ装置

半導体レーザーデキャップ装置

半導体チップの表面封止材をレーザーで除去し、内部の故障箇所を観察する半導体チップの故障解析に適しています。
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説明

 

 

レーザーデキャップマシン:半導体チップの表面封止材をレーザーで除去し、内部の故障箇所を観察する半導体チップの故障解析に適しています。

装置サイズ

800×600×1500mm

繰り返し精度

±0.03m

レーザー出力

20W

電源

AC220V、10A

レーザー波長

1064nm

原料ガス

CDA

 

製品の特徴と用途
  • 独自のソフトウェアアルゴリズムにより、基材を損傷しません。
  • レーザーデキャップ後は、酸を 1 滴垂らすだけでデキャップが可能です。
  • パワーチップのサポートを溶解して、その下部のウェハを露出させることができます。
  • パワーMOSのあらゆるはんだを溶解し、はんだによるウエハーの詰まりを防ぎます。
  • 各種のデキャッピングポーションフォーミュラを提供します。
  • IC 上を覆う PI 層を効果的に溶解し、顕微鏡観察への影響を防ぎます。
  • IC ワイヤを維持できるため、その後の故障解析に便利です。
  • 視覚機能を備えたチップはカメラの下で操作でき、観察が容易です。

制作内容

 

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私たちの工場とワークショップ

 

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証明書

 

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協力パートナー

 

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よくある質問

 

Q: レーザーデキャップマシンとは何ですか?

A: レーザーデキャップ機は、レーザーを使用してチップ表面の成形材料を除去し、内部の故障点を観察しやすくする装置の一種です。

Q: レーザーデキャップマシンはどの製品に適していますか?

A: さまざまなパッケージタイプのチップに適用できます。

Q: レーザーがオフになった後、他に行う必要があることはありますか?

A: チップ上のプラスチック シーラントの薄い層を溶解するには、一滴の酸が必要です。

 

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